21 июля,

Кафедра материаловедения и технологии функциональных материалов и структур (МиТФМС)

  • Яковенко Анатолий Георгиевич
    зав. кафедрой
    Доктор технических наук, профессор
    Адрес: г. Москва, Малая Пироговская, дом 1; строение 5, каб. А-435
    Телефон: +7 (499) 246-05-55 доб. 457
    E-mail: anavenko@yandex.ru
    Часы приёма
    пн
    12:00 — 13:00
    ср
    15:00 — 16:00

    Кафедра Материаловедения и технологии функциональных материалов и структур образована в апреле 2014 года в результате объединения кафедр «Физики и химии твердого тела» и «Материалов микро- опто- и наноэлектроники» на основании Решений Ученого Совета МИТХТ (Приказ по МИТХТ о внесении изменений в структуру основных подразделений №58 от 18.04.2014).
    Основной миссией кафедры является подготовка высокопрофессиональных бакалавров и магистров по направлению «Материаловедение и технологии материалов», для инновационной, научно-педагогической, производственной и управленческой деятельности в области функциональных материалов различного назначения.
    Профиль кафедры – Проведение фундаментальных и прикладных научных исследований, разработка технологии и исследование состава, структуры и свойств функциональных материалов, применяемых в различных областях науки и техники.
    В настоящее время на кафедре работает высококвалифицированный коллектив преподавателей и научных сотрудников. Среди преподавателей кафедры академик РАЕН, член-корр. РАЕН, лауреат Государственной премии, заслуженный деятель науки и техники, три профессора – доктора технических и химических наук, шесть доцентов, кандидатов технических, химических и физ.-мат.наук.

    В структуру кафедры входят учебно-научные лаборатории рентгеновских, оптических и электрофизических методов исследования материалов, шесть лабораторных практикумов и компьютерный класс.
    Кафедра имеет филиал (базовая кафедра) «Технология материалов и приборов ИК-техники» при предприятии АО Швабе фотоносители, а также учебный центр при ФГУП Научно-исследовательский институт «Полюс», на базе лаборатории МОС-гидридной эпитаксии, отдела мощных лазерных диодов, отдела приборов тепловидения и ИК-техники при участии аналитического центра.
    На кафедре функционируют аспирантура и докторантура по специальностям 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники»; 02.00.21 «Химия твердого тела».

  • История кафедры

    Истоки кафедры Материаловедения и технологии функциональных материалов и структур лежат в начале 60-тых годов XX века, когда в связи с необходимостью подготовки высококвалифицированных специалистов для бурно развивающегося нового направления науки и техники – полупроводниковой электроники в МИТХТ им. М.В. Ломоносова была организована кафедра «Технологии полупроводниковых материалов» (1962 год).
    В организации и становлении кафедры большую роль сыграли член-корр.АН СССР профессор К.А.Большаков, член-корр. АН СССР Б.А. Сахаров, профессор С.С. Коровин, профессор Е.Б. Соколов.
    В различные годы кафедру возглавляли известные ученые в области физики, химии и технологии полупроводниковых материалов профессора: Е.С. Макаров, С.С. Коровин, В.И. Фистуль, В.Б. Уфимцев, Р.Х. Акчурин, А.Г. Яковенко.
    За время существования кафедры она стала признанным центром подготовки кадров в области материалов электронной техники. Кафедрой было подготовлено более полутора тысяч высококвалифицированных специалистов, внесших весомый вклад в развитие отечественной электроники. Были подготовлены научные и инженерные кадры для Болгарии, Венгрии, ГДР, Польши, Вьетнама, стран СНГ.

    В 1985 году из состава кафедры «Технологии полупроводниковых материалов» выделилась кафедра «Физики и химии твердого тела», предназначенная для повышения уровня фундаментальной подготовки студентов.

    В 2005 году в связи с необходимостью подготовки научных и инженерных кадров для новых направлений электроники, связанных с развитием наноэлектронных технологий кафедра «Технологии полупроводниковых материалов» была преобразована в кафедру «Материалов микро- опто- и наноэлектроники».

  • Краткая информация о предприятиях партнерах

    Организация

    Руководитель

    Контактный телефон

    (e-mail)

    Адрес

    Сфера деятельности

    АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха

    Временный генеральный директор Кузнецов Е.В.

    (495) 330-03-65

    (495) 333-03-89

    (bereg@niipolyus.ru)

    117324, М., ул. Введенского, д. 3, корп. 1

    Квантовая электроника

    АО «НПО «Орион» ГНЦ РФ

    Генеральный директор Филачёв А.М.

    (499) 374-48-60

    (orion@orion-ir.ru)

     

     

    111538, М., ул. Коссинская, д. 9

    Твердотельная фотоэлектроника

    АО «Швабе-Фотостстемы».

    Генеральный директор Филачёв А.М.

    (495) 312-02-03

    (495) 315-73-30  (saphir@hotbox.ru)

    117545, М., Днепропетровский проезд, д. 4а

    Твердотельная фотоэлектроника

    ПАО «НПП «Сапфир»

    Генеральный директор

    Сметанов А.Ю.

    (495)369-30-36

    (info@sapfir.ru)

    105187, М., ул. Щербаковская,  д. 53

    Полупроводниковая электроника

    АО «Государственный завод «Пульсар»

    Генеральный директор

    Буробин В. А. 

    (499) 369-48-62

    (495)369-04-75

    (openline@gz-pulsar)

    195187, М., Окружной проезд, д. 27

    Полупроводниковая электроника

    ОАО «НПП «Квант»

    Генеральный директор

    Некрасов А.В.

    (495)687-96-10

    495-602-92-89

    (info@npp-kvant.ru)

    М, ул. 3-я Мытищинская, д. 16

    Автономная энергетика

    ОАО «Гиредмет»

    Директор

    Маянов Е.П.

    (495) 708-44-66

     (pyn@giredmet.ru)

    119017, М., Б. Толмачесвский пер. д. 5

    Материаловедение и технология функциональных материалов

    Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН

     

    (495)135-42-64

    (postmaster@ledev.ru)

    119991, М., Ленинский проспект, д. 53

    Физика

    Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН 

    И.о. директора

    Каневский В.М.

    (499)135-63-11

    (office@crys.ras.ru)

    119333, М., Ленинский проспект, д. 59

    Материаловедение

    Институт общей физики им А.М. Прохорова    РАН

    Директор

    Щербаков И.А.

    (499) 135-41-48

    (postmaster@kapella.gpi.ru)

    119991, М., ул. Вавилова, д. 38

    Физика

    Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН

    Директор Солнцев К.А.

    (499) 135-20-60

    (solntsev@pran.ru)

    119991, г. М., Ленинский проспект, д. 49

    Материаловедение

    Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН

    Директор

    Лагарьков А.Н.

    (495) 484-23-83

    (itae@itae.ru)

    125412, М., ул. Ижорская, д. 13

    Электродинамика, материаловедение

    НИЦ «Курчатовский институт»

    Директор

    Ковальчук М.В.

    (499) 196-­95-­39

    (nrcki@nrcki.ru)

    123182,  М., пл. Академика Курчатова, д. 1

    Междисциплинарные исследования

    1. Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН (и.о. директора, член-корр. РАН, д.х.н. Федин В.П.) – Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 3
    2. Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (ректор – Кузьминов Я.И.) - Москва, ул. Мясницкая, 20
    3. Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН (директор – член-корр. РАН Бухтияров В.И.) – Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 5
    4. Институт общей и неорганической химии РАН им. Н.С.Курнакова (директор института д.х.н. Иванов В.К.; научный руководитель института академик РАН Новоторцев В.М.) – г. Москва, Ленинский пр-т, д. 31
    5. ФГУП «НИФХИ им. Л.Я. Карпова» (директор АО «Наука и инновации» - Управляющий организации АО «НИФХИ им. Л.Я. Карпова» - Ивакин А.В.) - Москва, пер. Обуха, д.3-1/12, стр. 6
    6. МГУ им. М.В.Ломоносова (химический факультет декан Лунин В.В., факультет наука о материалов декан Солнцев К.А., физический факультет декан Сысое Н.И.) адрес: Москва, ГСП-1, Ленинские горы д.1, строение 3.
  • Материально-техническое обеспечение:

    Технологическое оборудование

    1. Установки для жидкофазной эпитаксии 2 шт
    2. Установка газофазной эпитаксии
    3. Установка для зонной плавки
    4. Установка для выращивания монокристаллов методом Чохральского 2 шт
    5. Установка для резки монокристаллов

    Исследовательское оборудование:

    1. Установка для исследования фотолюминесценции СДЛ 1
    2. Инфракрасный фотоспектрометр SPECORD IR 75
    3. Установка для исследования эффекта Холла
    4. Установка для исследований температурных свойств ферромагнетиков
    5. Установка для исследования удельного сопротивления полупроводников 4-х зондовым методом
    6. Установки для измерения времени жизни неосновных носителей заряда
    7. Импульсная лазерная технологическая установка для планарной обработки полупроводников
    8. Порошковые дифрактометры 3 шт.
    9. Оргтехника – компьютеры, проекторы, принтеры, ксерокс
  • Перечень направлений/специальностей, по которым кафедра является выпускающей

    Кафедра осуществляет подготовку:

    • бакалавров по направлению 22.03.01 «Материаловедение и технологии материалов» (профиль бакалавриата «Материаловедение и технологии материалов твердотельной электроники»);
    • магистров по направлению 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов», магистерская программа 22.04.01.12 «Физическое материаловедение и технология материалов электронной техники».

    Кроме того кафедра осуществляет преподавание ряда дисциплин по направлению бакалавриата 22.03.01 «Материаловедение и технологии материалов» (профиль бакалавриата «Физико-химия материалов и процессов»), направлению бакалавриата 240100.62 «Химическая технология» (профили бакалавриата «Химическая технология неорганических веществ», «Технология и переработка полимеров»), по направлению магистратуры 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов», магистерская программа 22.04.01.11 «Физико-химические исследования новых материалов и процессов», по направлению магистратуры 18.04.01 «Химическая технология», магистерская программа 18.04.01.08 «Химическая технология природных энергоносителей и углеродных материалов».

    Перечень читаемых дисциплин:

    Бакалавриат

    1. Физика и химия твердого тела
    2. Физика полупроводников
    3. Кристаллография
    4. Материаловедение полупроводников
    5. Процессы полупроводниковой технологии
    6. Методы исследования состава и структуры материалов
    7. Специальное материаловедение
    8. Технология полупроводникового кремния
    9. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов
    10. Приборы твердотельной электроники
    11. Основы неорганического материаловедения

    Магистратура

    1. Новые материалы и технологические процессы
    2. Материаловедение и технологии современных перспективных материалов
    3. Математическое моделирование и современные проблемы наук о материалах и процессах
    4. Специальные главы физики и химии твердого тела
    5. Кристаллофизика
    6. Технология и конструирование полупроводниковых интегральных микросхем
    7. Физико-химические основы технологии микроэлектроники
    8. Поверхностные явления в полупроводниках
    9. Технология полупроводниковых материалов
    10. Полупроводниковые гетероструктуры
    11. Дифракционные методы исследования структуры материалов
    12. Микрозондовые методы исследования состава материалов электронной техники
    13. Тензоры и их использование в физическом материаловедении
    14. Обратная кристаллическая решетка в физическом материаловедении

    Аспирантура

    1. Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
    2. Химия твердого тела
    3. Оптоэлектронные приборы на основе полупроводниковых наноразмерных гетероструктур
    4. Методология изучения объектов разной размерности
    5. Дифракционные методы исследования структуры материалов
  • Научная работа кафедры

    Основные направления:

    I. Индустрия наносистем

    1. Разработка и создание новых композитов с универсальными свойствами на основе матриц разной природы с функциональной основой наночастиц диоксида титана разных модификаций.
    2. Разработка теоретических и экспериментальных основ зарождения и формирования пор в кремнии, обуславливающего их плотность распределения, размер, форму и формологию пороструктурированных слоев при травлении кремния в растворах фтористоводородной кислоты.
    3. Исследование и разработка процессов формирования низкоразмерных эпитаксиальных структур на основе полупроводников АIIIBV для оптоэлектроники.

    Объекты исследования: нанооксиды титана разных модификаций (в том числе, новых), нанокомпозиты на основе матриц разной природы: кристаллической (монокристаллы KH2PO4); поликристаллической (цеолиты разных составов), паракристаллической – полимеры (полистирол, поли-N-винилкапролактан, поли-N-винилпирролидол; 1,2-полибутадиен, бутил-нитрильный каучук), аморфный SiO2: гранулированный, ультрадисперсный иопал; пористый нанокремний, эпитаксиальные структуры на основе полупроводниковых соединений AIIIBV.

    Награды и достижения

    1. Диплом I степени и Золотая медаль «Будущее российской химии» (XXI Менделеевский конкурс студентов-химиков, Россия, 2011).
    2. Премия II-й степени (XI Всероссийская выставка научно-технического творчества молодёжи, Москва, ВВЦ, 2011).
    3. Премия I-й степени (Конкурс проектов молодых учёных ХИМИЯ-2011, Москва, Экспоцентр, 2011.)
    4. Серебряная медаль (Инновационное шоу «Nano-powdered titanium dioxide – a new generation multipurpose material» Invention shou “Inova”, Zagreb, Croatia, 2011).
    5. Золотая медаль (XII Всероссийская выставка научно-технического творчества молодёжи, Москва, ВВЦ, 2012).
    6. 1 место во Всероссийском конкурсе статей «Малые инновационные предприятия при университетах и институтах, экосреда или битва за выживание: проекты, проблемы и перспективы (2013 г.).
    7. Три медали РАН (Конкурс 2013 года на соискание медалей Российской академии наук с премиями для молодых ученых России и для студентов высших учебных заведений России за лучшие научные работы).
    8. Стипендии Президента Российской Федерации (01.01.2012 по 31.08.2012, 01,01,14 по 31,12,14 и 01.09.2015 по 31.08.2016).
    9. Государственная премия СССР в области науки и техники за 1987 г. за цикл работ "Физико-химические основы изовалентного легирования полупроводников" (сотрудники кафедры В.И. Фистуль, В.Б. Уфимцев, Р.Х. Акчурин в составе авторского коллектива).

    Список основных публикаций:

    1. Абрамова Е.Н., Хорт А.М., Гвелесиани А.А., Яковенко А.Г. «Влияние содержания фтористоводородной кислоты в травителе на образование нанопор в кремнии». Журнал неорганической химии, 2014, т.59, №11, с.1574-1578.
    2. Абрамова Е.Н., Хорт А.М., Яковенко А.Г., Швец В.И. «Управление размерностью нанопор и структурой слоев нанопористого кремния в процессе его электролитического травления в растворах фтористоводородной кислоты». ДАН, 2015, т.46, №1, с.48-51.
    3. Абрамова Е.Н., Хорт А.М., Яковенко А.Г., Швец В.И. «Формирование нанопор в процессе электролитического травления кремния в растворах фтористоводородной кислоты». Ж.Неорганические материалы, 2015, т.51, №8, с.815-822.
    4. Абрамова Е.Н., Хорт А.М., Яковенко А.Г., Швец В.И., Сыров Ю.В. «Влияние анизотропии системы «фтористоводородный травитель – кремний» на форму пор, образующихся при электрохимическом травлении кремния». ДАН, 2015, т.464, №2, с.173-176.
    5. Абрамова Е.Н., Хорт А.М., Яковенко А.Г., Швец В.И. «Роль иона-травителя при образовании и формировании пор в кремнии при его травлении в растворах фтористоводородной кислоты». ДАН, 2016, т.467, №1, с.59-63.
    6. Е.В.Савинкина, Л.Н.Оболенская, Г.М.Кузьмичева и др. «Новый фотокатализатор на основе η-модификации диоксида титана» Доклады Академии Наук. 2011. Т.441, №3, С.342-344
    7. E. Savinkina, G. Kuzmicheva, L. Obolenskaya «A Novel Titania-based Photocatalyst for Water Purification» Int. J. of Energy and Environment. 2012. V.6, Issue 2, P. 268-275
    8. P.A. Demina, A A. Kuz’michev, A.M. Tsybinsky, L.N. Obolenskaya, G.M. Kuzmicheva, et. al «Removal of Mo(VI) and W(VI) from aqueous solution by adsorption onto titanium dioxide nanoparticles containing anatase modification» Applied Nanoscience 2013. P.1176-2314.
    9. G.M.Kuz’micheva, E.N. Domoroshchina, E.V.Savinkina, L.N.Obolenskaya. In Book «Titanium Dioxide». Editor: Jerry Brown. Chapter 9. «Nanosized Titania with Anatase Etructure: Sinthesis, Characterization, Applications and Environmental Effects». 2014. Nova Sience Publishers, Inc. P. 177-227.
    10. Кузьмичева Г.М. «Наноразмерные системы с оксидами титана(IV). Получение. Характеризация. Свойства». Тонкие химические технологии. 2015. №6. 50 с.
    11. Akchurin R.Kh., Zhegalin V.A., Komarov D.V. and Sakharova T.V. The liquid-phase epitaxy of strained multilayer III-V heterostructures. Inst. Phys. Conf. Ser. No 155,Chapter 3, pp. 279-282
    12. R.Kh. Akchurin, A.Y. Andreev, O.I. Govorkov, A.A. Marmalyuk, A.V. Petrovsky. The influence of elastic stresses during growth of (Al)GaAs/InGaAs/(Al)GaAs quantum well heterostructures on indium distribution. Appl. Surf. Sci., 2002, V. 188, P. 209-213.
    13. R.Kh. Akchurin, L.B. Berliner, A.A. Marmalyuk Modeling of In segregation, stress and strain in InGaAs/GaAs(100) QW heterostructures. Thin Solid Films, 2010, V. 518, PP. 2105-2114.
    14. Aкчypин P.X., Mapмaлюк A.A. Hитpид гaллия - пepcпeктивный мaтepиaл coвpeмeннoй элeктpoники (oбзop). Чacть I. Фyндaмeнтaльныe cвoйcтвa нитpидa гaллия. Maтepиaлoвeдeниe, 1999, №9, c. 8-13.
    15. Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А. Hитpид гaллия - пepcпeктивный мaтepиaл элeктpoнной техники (oбзop). Чacть II. Современные методы получения. Maтepиaлoвeдeниe, 2001, №9, c. 30-38.
    16. Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А. Hитpид гaллия - пepcпeктивный мaтepиaл элeктpoнной техники (oбзop). Чacть III. Технологические приемы улучшения структурных и электрофизических характеристик эпитаксиальных слоев. Maтepиaлoвeдeниe, 2001, №10, c. 21-29.
    17. Акчурин Р.Х., Богинская И.А., Вагапова Н.Т., Мармалюк А.А., Панин А.А. Исследование возможности формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Письма в ЖТФ, 2010, т. 36, вып. 1, с. 10-16

    Монографии:

    1. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. М., Металлургия, 1983, . 222 с.
    2. Акчурин Р.Х., Андрианов Д.Г., Берман Л.С. и др. (под ред. В.И. Фистуля). Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. М., Металлургия, 1987, 232 с.
    3. Федоров П.И., Акчурин Р.Х. Индий. М., Наука, 2000, 276 с. (переведена на китайский: Пекин, Peking University Press, 2005, 432 с.)
    4. Кузьмичева Г.М. Некоторые аспекты прикладной кристаллохимии. М., ИПЦ МИХТ, 2014, 240 с.
    5. Kuz`micheva G.M., Domoroshchina E.N., Savinkina E.V., Obolenskaya L.N. Nanosized Titania with Anatase Structure: Synthesis, Characterization, Application and Environmental. USA, New York, Nova Science Publishers. Inc, 2014, 51 p.

    II. Функциональные монокристаллы

    1. Разработка теоретических и экспериментальных основ получения качественных кристаллов, перспективных для применения
    2. Объекты исследования: пьезоэлектрики (семейство силленита, лангасита, цинкит и др.), лазерные кристаллы (семейство граната, шеелита, мелилита и др.), материалы нелинейной оптики (семейство хантита, KH2PO4-KDP), релаксорные сегнетоэлектрики (ниобат бария-стронция).
    3. Дефектообразование в монокристаллах антимонидов индия и галлия под влиянием взаимодействия с химически активными газовыми средами.
    4. Объекты исследования: полупроводниковые монокристаллы InSb и GaSb

    Список основных публикаций:

    1. T.I. Melnikova, G.M. Kuz’micheva, V.B. Rybakov, N.B. Bolotina, A.B. Dubovsky «Synthesis, composition, and structure of sillenite-type solid solutions in the Bi2O3-SiO2-MnO2 system” Inorganic Chemistry. 2011. V.50, Issue 5. P. 2002-2009
    2. Г.М. Кузьмичева «Некоторые аспекты прикладной кристаллохимии». Монография. М.: Изд-во МИТХТ, 2014, 240 с ISBN 978-5-904742-32-4. Тираж 500 экз.
    3. G.M. Kuz’micheva, L.I. Ivleva, I.A. Kaurova et al. «Structural peculiarities and point defects of undoped and Cr- and Ni-doped Sr0.61Ba0.39Nb2O6 crystals» Acta Materialia. 2014. V.70. P.208-217.
    4. A. Kaurova, G.M. Kuz’micheva, V.B. Rybakov et. al.. « Structural peculiarities and point defects of bulk-ZnO single crystals». J. of Alloys and Compounds «Structural peculiarities and point defects of bulk-ZnO single crystals». 2014. V.616. P.71-75
    5. G.M. Kuz’micheva, I.A. Kaurova, E.A. Zagorul’ko, N.B. Bolotina, V.B. Rybakov, A.A. Brykovskiy, E.V. Zharikov, D.A. Lis, K.A. Subbotin «Structural perfection of the (Na0.5Gd0.5)MoO4:Yb laser crystal» Acta Materialia. 2015. М. 87. №1. P.25-32.
    6. Сыров Ю.В., Фистуль В.И., Яковенко А.Г. «О n-p-термоконверсии антимонида индия». Известия АН СССР Неорганические материалы, 1986, т. 22, N 3, с.512-516.
    7. П.А. Щеглов, Д.В. Дробот, Ю.В. Сыров, А.С. Мальцева «Алкоксотехнология оксидных и металлических материалов на основе рения и молибдена». Неорганические материалы, 2004, т. 40, №2, с.1-8.
    8. Банишев А.Ф., Банишев А.А., Большухин В.А., Сыров Ю.В., Хорт А.М. «Механо- и фотолюминесценция мелкодисперсных порошков и пленок на основе твердых растворов SrAl2O4:(Eu2+,Dy3+)». Физика и техника обработки материалов, 2010, №2, с.18-25.
    9. Chekanova A.E., Philippov Y.Yu., Goodilin E.A., Volkova O.S., Veresov A.G., Tretyakov Y.D., Eremina E.A., Klimov K.V., Vasiliev A.N., Syrov Y.V. «APPLICATION OF NANOSTRUCTURED ASP PRECURSORS FOR PROCESSING CACUMN6O12 COLOSSAL MAGNETORESISTANCE CERAMICS», International Journal of Applied Ceramic Technology. 2006. Т. 3. № 4. С. 259-265.
    10. Varfolomeev M.B., Shamrai N.B., Syrov Yu.V., Khrustalev V.N., Pisarevskii A.P. «DETERMINATION OF CRYSTAL STRUCTURE OF CO(ReO4)2 • 4H2O AND REFINEMENT OF CRYSTAL STRUCTURE OF MG(ReO4)2, • 4H2O». Russian Journal of Inorganic Chemistry. 1999. Т. 44. № 9. С. 1335-1337.
    11. Е. Н. Абрамова, А. М. Хорт, Ю. В. Сыров, А. Г. Яковенко, академик РАН В. И. Швец «ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ СИСТЕМЫ ФТОРИСТОВОДОРОДНЫЙ ТРАВИТЕЛЬ–КРЕМНИЙ НА ФОРМУ ПОР, ОБРАЗУЮЩИХСЯ ПРИ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОМ ТРАВЛЕНИИ КРЕМНИЯ». ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК, 2015, том 464, № 2, с. 173–176.

    Награды и достижения

    Поощрительная премия имени Ю.Т. Стручкова за работу «Применение дифракционных методов для установления особенностей дефектообразования в промышленных крупногабаритных функциональных оксидных монокристаллов разных составов» (2015 г.)

    III. Химия для медицины

    1. Разработка и создание наносистем для медицинских приложений (наномедицины).
    2. Объекты исследования: средства адресной доставки лекарственных препаратов, диагностических и активных агентов векторов с наноразмерными объектами; бактерицидные средства разной природы с функциональными наночастицами; новые композиционные полимерные материалы медицинского назначения с функциональной основой наночастиц разной природы с универсальными свойствами.

    Список основных публикаций:

    1. М.Г. Куцев, Г.М. Кузьмичева, Л.Н. Оболенская и др. «Взаимодействие линейных молекул ДНК с наноразмерными модификациями диоксида титана со структурами анатаза и η-TiO2» Физическая химия. 2012. Т. 87. С.1822-1826
    2. П.А. Демина, Е.В. Дегтярева, Кузьмичева Г.М., Букреева Т.В., «Создание средств адресной доставки лекарств на основе наноразмерного диоксида титана» Вестник МИТХТ. 2014 Т.9, №4. С. 73-79
    3. Жаркова И.И., Староверова О.В., Г.М. Кузьмичева и др. «Биосовместимость матриксов для тканевой инженерии из поли-3-оксибутирата и его композитов, полученных методом электроформирования» Биомедицинская химия. 2014. Т.60. вып.5. С.553-560/
    4. Н.С. Серхачева, Н.В. Яшина, Н.И. Прокопов, А.А. Гайнанова, Г.М. Кузьмичева. «Бактерицидные свойства образцов и нанокомпозитов на основе полистирола с функциональными наночастицами ZnO и TiO2» Российские нанотехнологии 2015. № 11-12

    Партнеры

    1. Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (ректор – Кузьминов Я.И.) - Москва, ул. Мясницкая, 20
    2. Российский университет дружбы народов (директор медицинского института Абрамов А.Ю.) – Москва, ул. Миклухо-Маклая, 8
    3. Институт хирургии им. А.В. Вишневского (заведующая лабораторией профилактики и лечения бактериальных инфекций к.м.н. Терехова Р.П.) – Москва, ул. Большая Серпуховская, 27
    4. Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» (директор – руководитель Научной дирекции – Ковальчук М.В.) - Москва, пл. Академика Курчатова,1
    5. Институт кристаллографии РАН им. А.В. Шубникова (и.о. директора д.ф.-м.н. Каневский В.М.) – Москва, Ленинский проспект, д. 59

    Магистерская программа 22.04.01.12 «Физическое материаловедение и технология материалов электронной техники» (краткая аннотация)

    Подготовка студентов по магистерской программе «Физическое материаловедение и технология материалов электронной техники» проводится в рамках образовательной программы подготовки магистров по направлению 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» и базируется на программе бакалавриата по указанному направлению. Целью магистерской программы является подготовка высококвалифицированных специалистов для проведения научно-исследовательской и производственной деятельности в высокотехнологичной области, связанной с разработкой и производством материалов для различных направлений современной электроники.

    Магистерская программа предусматривает углубленную теоретическую подготовку студентов по материаловедению полупроводников и физико-химическим основам современных технологических процессов их получения, методам исследования структуры, состава и физических свойств материалов электронной техники.

    Среди изучаемых функциональных материалов широко используемые в настоящее время полупроводники простого и сложного состава и полупроводниковые структуры на их основе, области применения которых чрезвычайно обширны. Это волоконно-оптическая, беспроводная и спутниковая связь, солнечная энергетика, высокопроизводительные компьютеры и мобильные устройства, цифровая фото- и видеоаппаратура, высокочувствительные фотоприемники и эффективные источники излучения – светоизлучающие диоды и лазеры, устройства хранения информации большой емкости и многое другое.

    Программа включает в себя ознакомление студентов с последними достижениями физического материаловедения и развитием технологий создания новых перспективных материалов электронной техники, включая наноматериалы и нанотехнологии. Рассматриваются вопросы компьютерного моделирования технологических процессов с использованием специализированных пакетов прикладных программ.

    Значительную часть программы составляют практические и лабораторные занятия, самостоятельная экспериментальная и расчетная работа студентов. В процессе обучения и выполнения магистерской диссертации студенты проходят научно-исследовательскую практику в ведущих профильных научных и научно-производственных организациях.

    После окончания магистратуры ряд выпускников поступает в аспирантуру, многие выпускники находят работу по специальности в научно-исследовательских и производственных организациях отрасли, которые расположены преимущественно в Москве и ближайшем Подмосковье.

  • Яковенко Анатолий Георгиевич
    Занимаемая должность: Зав. кафедрой
    Ученая степень, звание: д.т.н., профессор.
    Специальность по диплому: Технология редких и рассеянных элементов
    Преподаваемые дисциплины: Физика и химия твердого тела, Специальные главы физики и химии твердого тела.
    Общий стаж работы: 52 г.
    Научно-педагогический стаж работы: 52 г.
    Повышение квалификации: Научная стажировка в АО Государственный институт редкометаллической промышленности, 2012 г.


    Акчурин Рауф Хамзинович
    Занимаемая должность: профессор 0,75 ст.
    Ученая степень, звание: д.х.н., профессор
    Специальность по диплому: Материаловедение и технология материалов
    Преподаваемые дисциплины: Технология полупроводниковых материалов, Технология полупроводникового кремния, Материаловедение и технологии современных перспективных материалов, Новые материалы и технологические процессы, Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники, Оптоэлектронные приборы на основе полупроводниковых наноразмерных гетероструктур.
    Общий стаж работы: 47 л.
    Научно-педагогический стаж работы: 42 г.
    Повышение квалификации: Научная стажировка в ГОУ ВПО «Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана»


    Кузьмичева Галина Михайловна
    Занимаемая должность: профессор 0,5 ст.
    Ученая степень, звание: д.х.н., профессор
    Специальность по диплому: Технология специальных материалов электронной техники
    Преподаваемые дисциплины: Основы неорганического материаловедения, Дифракционные методы исследования структуры материалов, Кристаллография, Химия твердого тела, Методология изучения объектов разной размерности.
    Общий стаж работы: 44 г.
    Научно-педагогический стаж работы: 44 г.
    Повышение квалификации: Участие в 29-ом Европейском совещании по кристаллографии.


    Арбенина Валентина Валентиновна
    Занимаемая должность:
    Ученая степень, звание: к.х.н., доцент
    Специальность по диплому: Технология специальных материалов электронной техники
    Преподаваемые дисциплины: Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов, Специальное материаловедение, Материаловедение полупроводников, Микрозондовые методы исследования состава материалов электронной техники.
    Общий стаж работы: 45 л.
    Научно-педагогический стаж работы: 45 л.
    Повышение квалификации: Стажировка в лаборатории узкозонных полупроводников ОФТТИ ФИАН им. П.Н. Лебедева


    Сыров Юрий Вячеславович
    Занимаемая должность:
    Ученая степень, звание: к.физ-мат.н., доцент
    Специальность по диплому:Технология специальных материалов электронной техники, Физика.
    Преподаваемые дисциплины: Кристаллография, Методы исследования состава и структуры материалов, Кристаллофизика, Тензоры и их использование в физическом материаловедении, Обратная кристаллическая решетка в физическом материаловедении.
    Общий стаж работы: 40 л.
    Научно-педагогический стаж работы: 34 г.
    Повышение квалификации: Научная стажировка в МГУ им. М.В. Ломоносова, Химический факультет, 2015 г.


    Гвелесиани Александр Александрович
    Занимаемая должность: доцент 0,5 ст
    Ученая степень, звание: к.т.н.
    Специальность по диплому: Физика (специализация «Физика твердого тела»)
    Преподаваемые дисциплины: Физика полупроводников, Поверхностные явления в полупроводниках.
    Общий стаж работы: 53 г.
    Научно-педагогический стаж работы: 53 г.
    Повышение квалификации: Научная стажировка в АО Государственный институт редкометаллической промышленности, 2014г.,


    Батырев Николай Иванович
    Занимаемая должность: доцент 0,75 ст.
    Ученая степень, звание: к.т.н.
    Специальность по диплому: Технология специальных материалов электронной техники
    Преподаваемые дисциплины: Физико-химические основы технологии микроэлектроники, Технология и конструирование полупроводниковых интегральных схем.
    Общий стаж работы: 45 л.
    Научно-педагогический стаж работы: 43 г.
    Повышение квалификации: Научная стажировка в ОАО НПО «Орион», 2015 г.


    Зиновьев Владимир Георгиевич
    Занимаемая должность: доцент 0,5 ст.
    Ученая степень, звание: к.т.н.
    Специальность по диплому: Материалы электронной техники
    Преподаваемые дисциплины: Процессы полупроводниковой технологии, Технология полупроводниковых материалов
    Общий стаж работы: 44 г.
    Научно-педагогический стаж работы: 44 г.
    Повышение квалификации: Научная стажировка в ГОУ ВПО «Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана»


    Максимов Александр Дмитриевич
    Занимаемая должность: ст.преп
    Ученая степень, звание: к.х.н.
    Специальность по диплому: Материаловедение и технология новых материалов
    Преподаваемые дисциплины: Приборы твердотельной электроники, Полупроводниковые гетероструктуры
    Общий стаж работы: 14 л.
    Научно-педагогический стаж работы: 11 л.
    Повышение квалификации: Стажировка в научно-исследовательском технологическом Университете (МИСиС), 2013 г.
Система Orphus